Los servicios disponibles en el Laboratorio Singular de Nanoelectrónica, Grafeno y Materiales Bidimensionales, a partir de las infraestructuras disponibles en el laboratorio, son:
Técnicas de procesado
Deposición química en fase vapor (CVD)
- Síntesis de grafeno a baja presión (LPCVD), y de materiales semiconductores como MoS2 y WS2, tanto a baja presión como a presión atmosférica.
- Oxidación en ambiente seco y húmedo, y recocido de muestras.
Deposición de capas atómicas (ALD)
- Deposición de semiconductores o dieléctricos como MoS2, SiO2, Si3N4, Al2O3 y HfO2 por medio de ALD asistido con plasma (PE-ALD) y ALD térmico (para obleas de 100 y 200 mm de diámetro).
Metalización
- Deposición de películas delgadas con sistema de evaporación térmica (PVD) y haz de electrones (e-beam), para una amplia variedad de materiales: Au, Cr, Al2O3, Ni, W, Cu, SiO2, Al, Mo, MoO3, WO3, Pd, Ag, Ti, Sc, y Pt.
- Pulverización catódica (Sputtering) de materiales magnéticos.
Litografía
- Litografía láser sin máscara de alta resolución con tamaños de haz desde 1 μm hasta 50 μm sobre superficies de hasta 5".
- Fabricación de máscaras litográficas.
- Litografía de contacto / proximidad con alineador de máscaras de contacto.
- Procesado y revelado de resinas.
- Litografía por haz de electrones e-beam (EBL).
Corte preciso de obleas
- Corte de precisión con sierra de obleas de silicio de hasta 200 mm de diámetro.
Tratamiento químico y mecánico
- Grabado iónico reactivo por plasma (RIE) con ataque de iones de Ar, O2, SF6 y CF4 .
- Ataques químicos en solución acuosa de una variedad de materiales: Cu, Al, Cr y Au.
Caracterización de muestras
Caracterización estructural y microscopía
- Microscopía óptica.
- Microscopía electrónica en SEM.
- Caracterización EDX en SEM.
- Microscopía de Fuerza Atómica (AFM).
- Espectroscopía Raman.
Caracterización eléctrica (sobre oblea de hasta 300 mm o encapsulada)
- Medidas de I-V y C-V.
- Medidas en función de temperatura.
- Medidas a alta frecuencia (RF).
- Medidas a baja frecuencia.
- Caracterización de ruido (1/f).
- Caracterización dieléctrica de materiales.
Tarifas 2024 (pendiente de aprobación por el Consejo Social)
| Código | Concepto | Precio (€) |
|---|---|---|
| 1 | Hora de trabajo Técnico Especialista | 90 |
| 2 | Hora de caracterización eléctrica: Equipamiento + Técnico Especialista | 150 |
| 3 | Incremento por hora fuera de jornada de trabajo | 80 |
| 4 | Hora de asesoramiento técnico | 90 |
| 5 | Hora de uso espectrometría Raman | 70 |
| 6 | Hora de uso Microscopía de Fuerza Atómica (AFM) | 100 |
| 7 | Hora de uso Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) | 75 |
| 8 | Hora de uso Sputtering | 60 + x (*) |
| 9 | Hora de uso ALD | 150 + x (*) |
| 10 | Hora de uso Metalización E-beam (según material) | 100 + x (*) |
| 11 | Hora de uso Evaporación Térmica (según material) | 80 + x (*) |
| 12 | Hora de uso CVD | 120 + x (*) |
| 13 | Hora de uso EBL | 100 |
| 14 | Hora de uso RIE (según gas reactivo) | 80 + x (*) |
| 15 | Hora de uso Ataque Químico en solución acuosa | 50 |
| 16 | Hora de uso Corte Obleas | 90 |
| 17 | Hora de uso Alineado de máscaras | 50 |
| 18 | Hora de uso Litografía Láser | 100 |
| 19 | Precursores para CVD, ALD, Sputtering, RIE, resinas, (no se aplicará descuento) | Según mercado |
| 20 | Preparación de muestras (hora técnico) | 90 |
| 21 | Hora uso sala limpia | 120 |
| 22 | Hora uso impresora 3D | 60 |
Precios IVA excluido.
(*) El suplemento x indicado en el precio corresponde al precio de los precursores y reactivos necesarios para la aplicación de la técnica, y que no tendrá ningún descuento independientemente del tipo de usuario.
La mayoría de los servicios prestados necesitarán la participación y supervisión de un técnico especialista responsable del equipamiento, cuyo coste hay que añadir al coste del servicio mostrado en la tabla.
Usuarios UGR: 70% descuento.
Usuarios OPIs: 50% descuento.
Usuarios PRI (privados): sin descuento.
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