Laboratorio Singular de Nanoelectrónica, Grafeno y Materiales Bidimensionales

Los servicios disponibles en el Laboratorio Singular de Nanoelectrónica, Grafeno y Materiales Bidimensionales, a partir de las infraestructuras disponibles en el laboratorio, son:

Deposición química en fase vapor (CVD)

  • Síntesis de grafeno a baja presión (LPCVD), y de materiales semiconductores como MoS2 y WS2, tanto a baja presión como a presión atmosférica.
  • Oxidación en ambiente seco y húmedo, y recocido de muestras.

Deposición de capas atómicas (ALD)

  • Deposición de semiconductores o dieléctricos como MoS2, SiO2, Si3N4, Al2O3 y HfO2 por medio de ALD asistido con plasma (PE-ALD) y ALD térmico (para obleas de 100 y 200 mm de diámetro).

Metalización

  • Deposición de películas delgadas con sistema de evaporación térmica (PVD) y haz de electrones (e-beam), para una amplia variedad de materiales: Au, Cr, Al2O3, Ni, W, Cu, SiO2, Al, Mo, MoO3, WO3, Pd, Ag, Ti, Sc, y Pt.
  • Pulverización catódica (Sputtering) de materiales magnéticos.

Litografía

  • Litografía láser sin máscara de alta resolución con tamaños de haz desde 1 μm hasta 50 μm sobre superficies de hasta 5".
  • Fabricación de máscaras litográficas.
  • Litografía de contacto / proximidad con alineador de máscaras de contacto.
  • Procesado y revelado de resinas.
  • Litografía por haz de electrones e-beam (EBL).

Corte preciso de obleas

  • Corte de precisión con sierra de obleas de silicio de hasta 200 mm de diámetro.

Tratamiento químico y mecánico

  • Grabado iónico reactivo por plasma (RIE) con ataque de iones de Ar, O2, SF6 y CF4 .
  • Ataques químicos en solución acuosa de una variedad de materiales: Cu, Al, Cr y Au.

Caracterización estructural y microscopía

  • Microscopía óptica.
  • Microscopía electrónica en SEM.
  • Caracterización EDX en SEM.
  • Microscopía de Fuerza Atómica (AFM).
  • Espectroscopía Raman.

Caracterización eléctrica (sobre oblea de hasta 300 mm o encapsulada)

  • Medidas de I-V y C-V.
  • Medidas en función de temperatura.
  • Medidas a alta frecuencia (RF).
  • Medidas a baja frecuencia.
  • Caracterización de ruido (1/f).
  • Caracterización dieléctrica de materiales.
Código Concepto Precio (€)
1 Hora de trabajo Técnico Especialista 90
2 Hora de caracterización eléctrica: Equipamiento + Técnico Especialista 150
3 Incremento por hora fuera de jornada de trabajo 80
4 Hora de asesoramiento técnico 90
5 Hora de uso espectrometría Raman 70
6 Hora de uso Microscopía de Fuerza Atómica (AFM) 100
7 Hora de uso Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) 75
8 Hora de uso Sputtering 60 + x (*)
9 Hora de uso ALD 150 + x (*)
10 Hora de uso Metalización E-beam (según material) 100 + x (*)
11 Hora de uso Evaporación Térmica (según material) 80 + x (*)
12 Hora de uso CVD 120 + x (*)
13 Hora de uso EBL 100
14 Hora de uso RIE (según gas reactivo) 80 + x (*)
15 Hora de uso Ataque Químico en solución acuosa 50
16 Hora de uso Corte Obleas 90
17 Hora de uso Alineado de máscaras 50
18 Hora de uso Litografía Láser 100
19 Precursores para CVD, ALD, Sputtering, RIE, resinas, (no se aplicará descuento) Según mercado
20 Preparación de muestras (hora técnico) 90
21 Hora uso sala limpia 120
22 Hora uso impresora 3D 60

Precios IVA excluido.

(*) El suplemento x indicado en el precio corresponde al precio de los precursores y reactivos necesarios para la aplicación de la técnica, y que no tendrá ningún descuento independientemente del tipo de usuario.

La mayoría de los servicios prestados necesitarán la participación y supervisión de un técnico especialista responsable del equipamiento, cuyo coste hay que añadir al coste del servicio mostrado en la tabla.

Usuarios UGR: 70% descuento.
Usuarios OPIs: 50% descuento.
Usuarios PRI (privados): sin descuento.

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